这明显就是对打台积电12nm FinFET，只是二位都不老实，擅自混乱地给制程命名，也难怪这么多年都被Intel贬低，比如“三星10nm=Intel 14nm”。

三星表示，10nm用于旗舰手机，11nm用于中高端，形成差异化，预计2018年上半年在市场投放。

与此同时，三星也成为了市场上最先确认7nm的企业，其7nm LPP定于2018下半年量产，采用EUV极紫外光刻技术。

EUV虽然困难重重，但ASML已经开始出货定型的光刻机。三星也表示，从2014年开始，基于EUV处理了200000片晶圆，目前在256Mb SRAM（静态随机存储器）良率已经达到了80%。

关于11nm和7nm更进一步的细节，三星定于9月15日在东京举办的半导体会议上揭示，未来的技术路线图也会更新。